标准包装:1,000
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
FET 特点:标准型FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
漏*源*电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:11A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:500 毫欧 @ 6.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(*大):4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:44nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1200pF @ 25V
功率 - *大:125W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220
包装:管件